必了解的开关电源之元器件选择（五）

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来源：东莞市成良智能科技发布时间：2019-08-03 点击量：976

接着前面的说，主要来说开关电源的MOSFET和BJT方面，帮大家能做出好的选择吧。
开关电源之非理想电压驱动源栅极电压波形但如果两个MOSFET并联，可能你仍用一个电阻，或许用它原来的一半。不，这样不行，即使有另外限流措施，如磁珠串联，仍必须每个栅极一个电阻。

开关电源之原因是两个 MOSFET 有各自的栅极电荷和引线电感，形成一个欠阻尼振荡网络，而观察到并联的 MOSFET有100MHz 振荡！如果用一个数字示波器，并不注意此振荡，你可能看不到它们，但它们引起损耗，当然也引起 EMI。开关电源之栅极电阻主要是用来阻尼栅极振荡。为了避免振荡，在栅极－源极之间并联一个 20V 稳压二极管，有人用40V驱动栅极，使栅极电容充电更快地通过开启电压。

开关电源的箝位二极管击穿保护栅极电压不要超过它的最大值，这样消耗了更大功率。正确的方法是用低输出阻抗的源驱动栅极。要是功率 MOSFET 导通时间10ns的驱动最好。
开关电源的功率 MOSFET 可以工作范围很广，低电压下几十瓦达 1MHz 以上；数千瓦可达数百 kHz。低电压器件导通电阻很小，随电压定额提高，导通电阻随电压增加指数增加。利用这一特性低电压用于同步整流，也可将低电压 MOSFET 串联在 BJT 发射极，利用 MOSFET 的开关速度，利用 BJT 的电压定额。U为MOSFET和BJT驱动开关电源。T为BJT的比例驱动电流互感器。开关电源PWM信号驱动MOSFET（Tr1）。当MOSFET导通时，导通压降很小，将BJT的发射极接地，驱动电源U通过限流电阻R迫使BJT初始导通，一旦BJT开始导通，设置在BJT集电极的电流互感器T在初级流过电流Ic，在次级正比感应电流经D1注入到BJT基极。

一般互感器变比 1/n《（1/β），例如n=1:10，而BJT的最小β＝15。这样互感器注入到BJT的电流产生更大的集电极电流，从而更大的基极电流注入，如此正反馈直至BJT饱和导通。完成导通过程。如果先将开关电源之 MOSFET 关断，首先 BJT 的发射极电位提高造成 BE 结反偏，集电极电流减少，互感器初级电流减少，基极电流减少，一旦进入 BJT 放大区迅速正反馈关断MOSFET 与 BJT 组合大电流低压MOSFET导通电阻非常小，开关速度快；而BJT关断时，承受电压是U（BR）CER。高压 MOSFET 也可与 IGBT 或 BJT 并联，驱动 MOSFET 先开通后关断。因为 MOSFET 承担了开关过渡时间，BJT 或 IGBT 零电压开通与关断；导通时，高压 MOSFET 比 IGBT 或 BJT 具有更高的压降，负载电流大部分流经 IGBT 或 BJT，只有很少部分通过 MOSFET，减少了导通损耗。尽管如此，BJT 或 IGBT 的开关时间仍是限制提高频率的主要因素。

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