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开关电源设计后EMI的实际整改策略－－传导部分及辐射部分（三）
来源： 发布时间：2019-04-18 点击量：1763
开关电源设计后EMI的实际整改策略－－传导部分及辐射部分（三）
本文继续从传导部分20－30MHZ差模共模混合和辐射部分30－50MHZ普遍是MOS管高速开通关断引起 ，50－100MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起这三个方面来叙述。
对于20－30MHZ来说
1、对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置；调整一二次侧间的Y1 电容位置及参数值；
2、开关电源在变压器外面包铜箔，变压器最里层加屏蔽层，调整变压器的各绕组的排布。改变PCB LAYOUT；
3、输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；、在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数；
4、开关电源在变压器与MOSFET之间加磁珠；在变压器的输入电压脚加一个小电容。
5、可以用增大MOS 驱动电阻。可能是电子负载引起的，可改用电阻负载。
6、可将MOS管D 端对地接一个101的电容。可将输出整流二极管换一个积电容小一点的。
7、开关电源可将输出整流二极管的RC回路去掉。将输入端加两个Y电容对地，可降低传导25MHZ－30MHZ干扰。
8、紧贴变压器的磁芯上加一铜皮，铜皮连接到地。
9、传导后段25MHZ超标可在输出端加共模电感，也可在开关管源极检测电阻上套一长的导磁力合适的磁珠。
辐射部分
30－50MHZ普遍是MOS管高速开通关断引起
1．开关电源可以用增大MOS驱动电阻；2．RCD 缓冲电路采用1N4007慢管；3．VCC 供电电压用1N4007慢管来解决；
4．或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；5．在MOSFET的D－S脚并联一个小吸收电路；
6．开关电源在变压器与MOSFET之间加BEAD CORE；7．在变压器的输入电压脚加一个小电容；
8．PCB 心LAYOUT 时大电解电容，变压器，MOS 构成的电路环尽可能的小；
9．变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。
50－100MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起
1．可以在整流管上串磁珠；2．调整输出整流管的吸收电路参数；
3．可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗，如PIN脚处加BEAD CORE或串接适当的电阻；
4．也可改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹卡MOSFET； 铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点）。
5．开关电源增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射．
200MHZ 以上开关电源已基本辐射量很小，一般可过EMI 标准。
最后对开关电源EMI的对策处理做一下小结：
外部构造的屏蔽处理；产品外部的电缆线处理；产品内部的电缆线处理；PCB布线处理；开关电源的振荡频率的选择；IC型号的选择；磁性材料的频率和带宽的选择；变压器的选型、绕法和设计；散热器的接地方式的处理。
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